Cluster Mechatronik & Automation

News

15.06.2012

Preis für Wissenschaftlerin des Clustermitglieds Fraunhofer IISB - DGKK zeichnet Forschungen zum Thema Siliziumkarbid aus

Für Ihre Doktorarbeit „Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid“ erhielt Dr. Birgit Kallinger den alljährlich von der Deutschen Gesellschaft für Kristallwachstum und Kristallzüchtung e.V. (DGKK) vergebenen Nachwuchspreis.

Der mit 2.500 Euro dotierte Preis der DGKK würdigt herausragende wissenschaftliche Leistungen aus dem Bereich der Kristallzüchtung und des Kristallwachstums. Allein in Deutschland stehen mit dieser Branche schätzungsweise mehr als 10.000 Arbeitsplätze in Verbindung.

 

Dr. Birgit Kallinger (Fraunhofer IISB) bei der Verleihung der DGKK-Preises

 

Das in den Forschungen von der Preisträgerin zentrale Siliziumkarbid (SiC) ist durch seine physikalischen Eigenschaften sehr gut als Halbleitermaterial verwendbar. Auf SiC basierende Schottkydioden sind beispielsweise erfolgreich in High-end-Netzteilen im Einsatz. Allerdings haben sogenannte Kristalldefekte im Material, die bei der Herstellung von Dioden auftreten, eine weitergehende Verwendung von SiC bisher verhindert. Diese Defekte stehen im Verdacht, die Langzeitstabilität zu limitieren.

 

Birgit Kallinger hat in Ihrer Doktorarbeit gezeigt, wie durch geeignete Prozessbedingungen besonders kritische Defekte vermieden werden können. Sie konnte ebenfalls nachweisen, dass dadurch die Langzeitstabilität von Bipolardioden, die auf SiC basieren, verbessert wird.

 

Somit hat die Preisträgerin entscheidend dazu beigetragen, dass neue Anwendungsgebiete in der Leistungselektronik erschlossen werden können.

 

Die Doktorarbeit von Birgit Kallinger ist im Fraunhofer Verlag erschienen (ISBN: 978-3-8396-0342-0).


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